Форум - Hardware - Nanya и ITRI объединяют усилия в разработке 3D-памяти DRAM

  • Аватар пользователя
    [ Пользователь удален ] #24743
    28 Января 2011 года в 00:25:37
  • За сравнительно короткий срок технология производства памяти DRAM сделала значительный прогресс, связанный с освоением все более тонких норм техпроцесса. Однако дальнейшее повышение плотности памяти специалисты связывают уже не с уменьшением норм техпроцесса, а с освоением технологии объемной компоновки. Тайваньская компания Nanya Technology намерена вести разработки в этой области совместно с институтом Industrial Technology Research Institute (ITRI), финансируемым государством.
    Объединив свой опыт в области технологии полупроводникового производства с разработками ITRI, относящимися к изготовлению чипов из 300-миллиметровых пластин с использованием технологии межслойных связей (TSV), компания Nanya надеется начать поставки готовой продукции в текущем году. Пока речь идет о небольших партиях микросхем DRAM большого объема.
    Совместный проект Nanya и ITRI по выпуску 3D-памяти типа DRAM получил государственную субсидию. Ее сумма не разглашается, но, по неофициальным данным, это примерно 40% от стоимости проекта, оцениваемого Nanya в 3,4-4,1 миллиона долларов.

  • 1
  • Ответить
  • У вас нет прав оставлять комментарии!

Быстрый переход: